匈牙利科学院技术物理与材料科学中心能源研究所Attila Sulyok与中科大丁泽军教授报告通知

发布者:系统管理员发布时间:2019-11-11浏览次数:768

 

报告主题:Beam induced chemical changes in solid phase

报告人:Dr. Attila Sulyok

时间:20191113(周三)  下午2:00

地点:教十一大楼318会议室

邀请人:田鹤 研究员

报告摘要:

Solid phase chemical reaction is not unusual, however, not general in material technology. Energetic ion or electron beam can be applied to induce chemical processes at interface of different materials. Beam assisted chemical reactions at or around interfaces of layers have the advantages: horizontal localization (limited only by beam spread) and patterning by beam manipulation, vertical (depth) control down to nm scale by choosing proper species and energy, low temperature is sufficient because the energetic beam provides activation energy to the chemical processes. A few material systems have been investigated applying Auger electron spectroscopy depth profiling for experimental observation of the new chemical phase produced by irradiation and TRIM code for interpretation. Examples will be presented for: formation of thermodynamically unstable Ni3C phase in Ni/C material system by ion beam modification, room temperature SiC formation in S/C layer system by ion beam modification, SiO2 formation on interfaces in less expected conditions by electron beam irradiation.

报告人介绍:

Dr. Attila Sulyok (Thin Film Group, Institute for Technical Physics and Materials Science Centre for Energy Research, Hungarian Academy of Sciences). He obtained PhD from Eötvös University, Budapest, Hungary in 1992 and became senior research fellow in 2002. He has published over 80 papers in surface analysis field on Auger electron spectroscopy, AES depth profiling (surface and thin film analysis), elastic peak and energy loss spectroscopy, experimental determination of inelastic mean free path, ion-solid interaction, ion bombardment induced alterations, XPS depth profiling (XPS analysis combined with ion sputtering). He has designed and built 3 instruments for surface analysis.

报告题目:蒙特卡洛方法应用于扫描电子显微学

报告人:丁泽军

时间:20191113(周三下午3:00

地点:教十一大楼318会议室

邀请人:田鹤研究员

报告摘要:

采用电子束轰击材料的表面,通过测量出射的电子信号和光信号,可以得到材料的成分、电子结构、表面形貌等信息。通过蒙特卡洛计算机模拟技术,可以从理论上研究这些信号的产生以及发射机制。我们模拟了扫描电镜中3D样品结构的表面形貌成像,将其应用于半导体线宽的测量技术,提出了基于模型的数据库方法测量线宽的国际标准。另外,我们发展了一种量子轨迹蒙特卡洛计算模拟方法,可以用轨迹研究晶体中的电子衍射,进而模拟了背散射电子衍射以及原子尺度的二次电子成像问题。

报告人介绍:

丁泽军1961年生。现任中国科学技术大学物理系教授、博士生导师。中国物理学会表面与界面物理专业委员会委员、全国微束分析技术标准化委员会委员、全国微束分析技术标准化委员会表面分析技术分委员会主任委员、ISO/TC201(表面分析)-ISO/TC202(微束分析)联络员。

1982年于中国科学技术大学本科毕业,1990年获日本大阪大学博士学位,1994-1995年日本大阪大学JSPS博士后。获国家杰出青年基金项目(2000年)、国务院政府特殊津贴和中科院百人计划。主要从事电子束与固体材料和表面相互作用的计算机模拟,致力于定量表面分析和微束分析及相关国际标准的基础性研究。发展了目前国际上最为先进的电子束散射的蒙特卡洛模拟方法和程序,并应用于扫描电子显微学、电子探针微分析术、反射电子能量损失谱、定量俄歇电子能谱和X光电子能谱学。发表SCI论文290余篇,专著章节4篇,国际会议第一作者邀请报告30余次。主持制定国际标准1项,国家标准2项。