半导体材料研究所起源于1954年在无线电系（原）建立的半导体材料研究小组，由已故中国科学院院士、浙江大学原副校长阙端麟教授创办，是我国最早开展半导体材料研究的单位之一。1978年，由无线电系（原）调整进入材料系。在半导体材料研究所的基础上，获得国家第一批“半导体材料”硕士点，第一个“半导体材料”博士点，第一个“半导体材料”国家重点学科；以研究所为基础，成立了“硅材料国家重点实验室”，并主要参与创办了浙江大学第一个上市公司。
该所1959年开始，以半导体硅材料作为主攻方向；1980年代后期，开展了半导体薄膜材料研究。近60年来，研究所在高纯硅烷的提纯和制取、高纯硅的提纯和制备、探测器级硅单晶的研究和开发、硅单晶中碳、氧的控制、硅单晶的电学测量、减压充氮生长直拉硅单晶生长技术、微量掺氮直拉硅单晶的缺陷控制、ZnO薄膜的制备和p型掺杂、纳米半导体的生长和制备等方面取得了系列重大成果。研究所曾获得国家自然科学二等奖3项，国家发明二等、三等奖3项、何梁何利科技奖1项，中国青年科技奖1项，以及浙江省科技重大贡献奖、信息产业重大技术发明奖、国家专利优秀奖、省科技（发明）一等奖等20多项省部级科技奖。研究所在Nature、Nature Communications、Material Science and Engineering ：Report、Chemical Society Review,Advanced Materials、Physical Review Letters等国际著名杂志发表SCI论文1000多篇，获得国家发明专利200多项。在半导体硅材料、ZnO薄膜材料等研究领域处于国内领先地位，并具有国际声誉。
该所主要研究：
半导体硅材料：主要研究直拉硅单晶材料的生长、加工和缺陷工程，太阳能光伏硅材料的提纯、制备、缺陷和电池工艺中的材料问题，硅基光电子材料与器件，纳米硅（颗粒、线、管）的制备、表征和应用。
半导体薄膜材料：主要研究半导体薄膜材料的制备、性能调控及在能源领域的应用，着重研究ZnO薄膜的p型掺杂与和电致发光，高品质透明导电薄膜制备与应用，以及化合物半导体纳米结构材料可控生长与性能。
研究所以中科院院士杨德仁教授、叶志镇教授为学术带头人，有教职员工20多人。目前拥有中国科学院院士2人、国家杰出青年基金获得者1人、教育部长江学者特聘教授1人，浙江省特级专家2人，国家“百千万人才”2人，国家优秀青年基金获得者3人，国家万人计划领军人才1人、青年拔尖人才1人，教育部跨（新）世纪人才基金获得者3人，浙江省“151人才”近10人。拥有国家基金委创新研究群体1个、科技部重点领域创新团队1个、教育部长江学者创新团队1个和浙江省重点科技创新团队2个。
所长：皮孝东，0571-87951016，xdpi@zju.edu.cn
副所长：彭新生(兼)，0571-87951958，pengxinsheng@zju.edu.cn
副所长：孙威，sunnyway423@zju.edu.cn
副所长：戴兴良，shanfeng@zju.edu.cn
实验室主任：方言俊，jkfang@zju.edu.cn
研究所办公室：0571-87951667， Email: silab@cmsce.zju.edu.cn
