上海微系统与信息技术研究所王曦院士、北京大学俞大鹏教授在“求是材料科学论坛”作主题报告

2010年5月16日上午，浙江大学“求是材料科学论坛”第二讲于玉泉校区邵科馆211多功能厅举行。本期讲课嘉宾是中科院院士、上海微系统与信息技术研究所所长王曦院士以及北京大学物理学院俞大鹏教授。中科院院士、浙江大学电镜中心主任张泽院士、材料系主任叶志镇教授、副主任翁文剑教授、涂江平教授以及无机所所长韩高荣教授、硅材料国家重点实验室副主任朱丽萍教授等出席论坛，论坛由韩高荣教授主持。

图一：韩高荣老师主持

首先，由材料系系主任叶志镇教授为王曦院士和俞大鹏教授颁发论坛主讲人纪念品，并表示做科研不仅要自身努力创新钻研，还要多多交流。为了进一步活跃材料系的学术氛围，促进学科交流，在未来的几个月中，材料系还将邀请材料领域不同方向的专家来参加“求是材料科学论坛”。

随后，中科院院士、上海微系统与信息技术研究所所长王曦院士做了题为“离子注入SOI产业化技术”的报告，深入浅出地介绍了离子注入SOI技术原理、SOI材料的优点以及将SOI材料技术产业化的关键技术和难点。SOI技术被称为“二十一世纪的硅集成电路技术”，在高速、低功耗集成电路、高压功率器件以及抗辐射微电子领域等具有重要的应用。在王曦院士带领下，上海微系统与信息技术研究所通过在SOI研究领域的技术创新，突破一系列关键技术，实现了SOI材料国产化，填补了国内空白。这也鼓励同学们要敢于将理论与产业结合起来。

图二：叶老师对主讲人表示欢迎

图三：叶老师对主讲人王曦院士颁发纪念品

图四：叶老师对主讲人俞大鹏教授颁发纪念品

图五：王曦院士讲座

接下来北京大学物理学院俞大鹏教授简单介绍了自己的研究团队、研究方向和成果，以“功能准一维纳米材料与物理研究”为主题，详细介绍了ZnO纳米线的P-掺杂与结和ZnO纳米线的力电偶性质研究以及单根纳米线在太阳能电池中的的应用。俞大鹏教授在半导体纳米线制备与物性研究方面做出了一系列开创性和系统深入的研究工作，尤其是利用简单热蒸发方法制备硅纳米线、氧化物纳米线方面已引起国内外同行的重视，形成了较广泛的影响。他激励同学们只要深入自己的研究领域就一定会有意想不到的成果。

图六：俞大鹏教授讲座

两位教授报告完后，张泽院士都做出了精辟的点评，他指出新材料需要新技术的推动，新技术加速开发新材料，创造新生活。材料、物理、化学等学科知识都是相互交融贯通的，同学们在研究中，要加强交流，同时不要把简单问题复杂化。

图七：张泽院士做点评和总结

在交流阶段，在座师生就报告内容以及自己研究中所遇到的问题同两位教授进行了热烈的交流，开阔了思路，受益匪浅。

材料系研究生会

2010-5-16