硅材料国家重点实验室杨德仁教授课题组近日在材料科学与工程领域顶尖综述期刊《Material Science and Engineering R： Reports》上发表长篇论文“Impurity Engineering in Czochralski Silicon” [Mater. Sci Eng. R: Report, 74, 1-33 (2013)]。 该期刊（5年平均SCI影响因子16.5）专门发表材料科学与工程各领域的综述性论文，对相关领域的发展具有重要的引领和指导作用。该期刊不接受自由投稿，由总编邀约在相关领域做出突出贡献的学者撰稿。自创刊25年以来，中国科研机构在该期刊上仅发表了18篇论文。浙江大学由杨德仁教授课题组首次在该期刊上发表论文，这也是中国学者首次在该期刊上发表关于晶体硅材料研究的论文。
硅单晶是信息产业的基础材料，在发展国民经济和保障国家安全中具有极为重要的地位，其研究和开发是国家发展的战略性需求。自上世纪90年代初，杨德仁教授课题组一直从事直拉硅单晶材料的基础研究，在国际上首先提出了利用共掺杂调控直拉硅单晶中缺陷的新概念-“杂质工程”。通过在直拉硅单晶中共掺氮、锗或碳杂质，有效调控直拉硅单晶中缺陷的形成和演变行为，从而提高直拉硅单晶的性能。该课题组不仅系统研究了“杂质工程”的基础理论问题,而且将基于“杂质工程”的新技术应用于大规模生产,推出了具有中国自主知识产权的硅晶体材料。“杂质工程”概念的提出改变了微电子领域“硅材料越纯越好”的传统观念，丰富了直拉硅单晶材料的科学研究和工程实践的内涵。受主编邀请撰写的上述论文，系统总结了该课题组二十多年来在直拉硅单晶“杂质工程”研究领域的研究成果，有望在学术界和产业界产生深刻的影响。
文章链接见：http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927796X1300003X
