浙江大学直接攻博研究生培养方案
材料与化学工程学院 材料物理与化学专业(代码: 080501 )
材料学 专业(代码: 080502 )
材料加工工程 专业(代码: 080503 )
(一级学科: 材料科学与工程 )
一、培养目标:
学生应系统掌握学科及前沿研究领域的相关理论知识和实验技能,应具有从事科学研究的创新能力、独立工作能力和一定的组织协调能力,成为能从事相关高新技术领域研究开发和管理的高素质人才。
二、学制:5 年
三、主要研究方向:
1、半导体硅材料;2、硅基薄膜与器件;3、复合光电功能材料;4、纳米材料与微结构;
5、能量储存与转换材料; 6、特种电池材料; 7、功能玻璃; 8、生物医用材料;
9、复合结构材料; 10、功能陶瓷材料; 11、材料表面工程; 12、金属材料加工;
13、无机非金属材料加工。
四、课程学习要求:
博士研究生在攻读学位期间,应修最低总学分38学分,其中公共学位课7学分,专业学位课不少于12学分,公共素质类课程1学分,与专业相关的选修课14学分,读书报告4学分。
五、培养环节要求:
1、读书报告要求:在学期间做读书报告或seminar 10次,其中至少公开在学科或学院的学术论坛做读书报告2次。研究生申请答辩以前,需完成10次读书报告并上交文字材料。
2、开题报告要求:在直接攻博阶段提交开题报告一篇,开题报告最迟应在入学后的一年半内完成。
3、专业外语要求:必选一门专业外语,记1学分。
4、发表论文要求:按照浙江大学关于博士学位论文答辩的有关规定执行。
课 程 设 置
类 别 | 课程编号 | 课 程 名 称 | 学 分 | 学时 | 上课 学期 | 备 注 |
公共课 | 0510001 | 博士生英语 | 2 | 32 | 秋或冬 | 学位课 |
0420001 | 自然辩证法 | 2 | 32 | 秋或冬 | 学位课 | |
0220002 | 科学社会主义理论与实践 | 1 | 24 | 秋或冬 | 学位课 | |
0410001 | 现代科技革命与马克思主义 | 2 | 32 | 秋或冬 | 学位课 | |
| 公共素质类课程至少选修1学分 | | | 任意 | 选修课 | |
专业学位课 | 0911003 | 材料科学与工程专题 | 2 | 32 | 春 | 必选 |
0922004 | 材料近代研究方法 | 2 | 32 | 秋 | 七选五 | |
0922006 | 材料结构与性能 | 2 | 32 | 秋 | ||
0922007 | 材料热力学与动力学 | 2 | 32 | 冬 | ||
0922005 | 材料合成与制备 | 2 | 32 | 冬 | ||
9021024 | 固体化学 | 2 | 32 | 春 | ||
9021025 | 半导体物理 | 2 | 32 | 冬 | ||
9021026 | 固态相变及性能效应 | 2 | 32 | 冬 | ||
专业选修课 | 0913005 | 计算材料科学(专业英语) | 3 | 48 | 冬 | 必选 |
0913004 | 材料科学中的场论与张量 | 3 | 48 | 夏 | 必选 | |
0924003 | 材料科学论文写作 | 2 | 32 | 秋 | 十四选三 | |
0923040 | 材料研究进展(全英文授课) | 2 | 32 | 秋冬春夏 | ||
0924001 | X射线衍射及其应用 | 2 | 32 | 春 | ||
0924002 | 材料电子显微学 | 2 | 32 | 春 | ||
0923026 | 半导体测试技术 | 2 | 32 | 春 | ||
0923021 | 半导体薄膜物理与技术 | 2 | 32 | 春 | ||
0923027 | 半导体材料杂质和缺陷 | 2 | 32 | 春 | ||
0923028 | 晶体生长 | 2 | 32 | 春 | ||
0923025 | 金属-氢系统 | 2 | 32 | 春 | ||
0923029 | 位错理论与材料强化 | 2 | 32 | 冬 | ||
0923024 | 非晶与玻璃态材料 | 2 | 32 | 春 | ||
0923022 | 光电功能材料 | 2 | 32 | 春 | ||
0923023 | 新型无机材料 | 2 | 32 | 冬 | ||
0923031 | 纳米材料与纳米器件 | 2 | 32 | 春 | ||
| 0943001 | 太阳电池原理与技术 | 2 | 32 | 春 | 六选一 |
| 0943002 | 能源材料及电池技术 | 2 | 32 | 春 | |
| 0943003 | 磁性材料制备技术 | 2 | 32 | 春 | |
| 0943004 | 电子陶瓷 | 2 | 32 | 春 | |
| 0943005 | 材料表面改性技术 | 2 | 32 | 冬 | |
| 0943006 | 宽带隙化合物半导体材料与器件 | 2 | 32 | 冬 |