时间： 地点：邵科馆211多功能厅
1) 9:30-10:30 离子注入SOI技术
王 曦(中国科学院院士、上海微系统与信息技术研究所所长)
10:30-10:40 茶点
2) 10:45-11:45 低维功能材料与物理
俞大鹏 (教育部“长江学者”、北京大学物理学院教授、北京大学电子显微镜实验室主任)
演讲者简介：
王曦院士简介：
王曦院士，材料科学家，2009年当选中国科学院院士，现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长。
1966年8月出生，1987年毕业于清华大学工程物理系，1990年、1993年先后获中国科学院上海冶金研究所（现上海微系统与信息技术研究所）硕士、博士学位。长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将研究成果应用于电子材料SOI（Silicon-on-insulator，绝缘衬底上的硅）的开发。SOI技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有体硅所无法比拟的优点。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上，自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术，建立了我国SOI材料研发和生产基地。曾获国家科技进步一等奖及何梁何利基金科学与技术进步奖等多项奖励。
俞大鹏，北京大学物理学院教授，北京大学电子显微镜实验室主任，教育部“长江学者”，教育部“创新团队”学术带头人之一。
主要从事功能准一维纳米结构与物理研究，研究方向包括功能纳米结构制备与纳米加工、低维物理与纳米器件研究、电子显微学在凝聚态物理中的应用研究。先后承担了包括国家杰出青年科学基金、海外杰出青年科学基金、973课题等研究项目，在半导体纳米线制备与物性研究方面做出了一系列开创性和系统深入的研究工作，尤其是利用简单热蒸发方法制备硅纳米线、氧化物纳米线方面已引起国内外同行的重视，形成了较广泛的影响。在国际著名核心学术刊物上发表200多篇论文，论文他人引用3000余次，最高单篇他引超过580次，H 因子（H Factor）为31，并收到多个国际刊物关于撰写综述文章的邀请。
主办：浙江大学材料科学与工程学系
承办：浙江大学无机非金属材料研究所
宣传：浙江大学材料系研究生会、博士生会
