九三学社原中央常委、浙江省主委，我国著名半导体材料专家、中国科学院院士、浙江省政协原副主席、浙江省科协原主席、原浙江大学副校长、浙江大学教授阙端麟先生，因病于2014年12月17日15时58分在杭州逝世，享年87岁。
阙端麟先生，1928年5月19日出生于福建省福州市，1947年毕业于福州英华中学。1951年毕业于厦门大学电机系并留校任助教。1953年调入原浙江大学，1954年晋升讲师，1978年晋升副教授，1981年晋升教授，先后担任电机系实验室主任、无线电系半导体材料与器件教研室副主任、材料科学与工程学系半导体材料研究室主任、半导体材料研究所所长、材料系副系主任。1984年到1988年担任副校长。1988年到1989年担任校务委员会副主任。1991年当选为中国科学院院士。曾担任浙江省自然科学基金委员会副主任、浙江省学位委员会副主任和浙江省人民政府经济建设咨询委员会委员，国务院学位委员会第二、第三、第四届非金属材料学科评审组组长、国家科委发明委员会特邀评审员、国家自然科学基金委员会半导体学科评审组组长、中国发明协会理事、浙江省科协主席等职。1984年加入九三学社，历任九三学社第一、第二届浙江省委会副主委，第三、第四届主委，第五届名誉主委，第八届中央委员，第九、第十届中央常委。曾任第六届全国政协委员，第七届全国人大代表，第七、第八届浙江省政协副主席。1983年被评为浙江省“五讲四美为人师表”优秀教师，1986年被评为国家有突出贡献中青年专家，1988年获浙江省劳动模范称号，1990年被评为全国高等学校先进科技工作者，同年获全国“五一”劳动奖章。2002年获何梁何利基金科学与技术进步奖。
阙端麟先生是我国较早开始半导体材料研究的著名学者之一，科研成果丰硕。从20世纪50年代起，他开始从事温差电材料的研究，试制成我国第一台温差电发电机。他长期从事半导体材料研究工作，在国内首先开展用硅烷法制备高纯硅的研究，在硅烷提纯和高纯多晶硅制备等方面取得突破，成功研制出极高阻探测器级硅单晶。首先提出用氮气作为保护气直拉硅单晶技术，打破长期以来认为氮气会与硅在高温下发生化学反应而不能作为保护气氛的思想束缚，生产出优质低成本硅单晶。在硅单晶电学测试方面，提出双频动态电导法和间歇加热法判别硅单晶导电类型，发展了单色红外光电导衰减寿命测试理论和技术，主持研制的测试仪器技术指标大大优于同类进口仪器，并在各大学及工厂推广应用，使硅单晶工业产品寿命测试仪国产化。他的多项研究成果都应用于生产实际，经济效益和社会效益十分显著，其中，“全分子筛吸附法提纯硅烷”获1980年国家发明三等奖；“高频1.09mm红外光电导衰减硅单晶少子寿命测试仪”获1988年国家发明三等奖；“减压充氮直拉硅单晶技术”被《科技日报》评选为我国1987年10项重大科技成果之一，1988年获第37届尤里卡世界发明博览会金牌奖，获1989年国家发明二等奖。
阙端麟先生在教育战线上辛勤耕耘60余年，倾注了大量心血，取得卓越成绩。他是浙江大学半导体材料学科的奠基人和学科带头人。在他的领导下，该学科成为国务院学位委员会批准的第一批硕士学位授予点之一和第一个半导体材料工学博士学位授予点，1988年被评为国家重点学科；1987年获批建成了浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室（硅材料国家重点实验室前身），不断拓宽研究领域，培养了一大批中青年学术骨干。他刻苦钻研，编写教材，认真备课，精心讲授，为本科生、研究生首开“电工材料”、“半导体材料”、“半导体专论”、“真空技术”、“半导体物理”、“近代物理基础”等10余门新课。他注重学生的理论基础，着重培养学生实践和实验能力，勉励他们不断创新。
阙端麟先生十分重视参政议政工作，亲自参加课题调研，积极建言献策，提出的意见建议得到了中共浙江省委、省政府的重视，产生了很好的社会影响，为浙江政协事业和浙江经济社会健康发展做出了重要贡献。
阙端麟先生对国家和人民无限忠诚，将毕生精力奉献给了教育科技事业。他富有远见卓识和开创精神，以国家的重大需求为目标，为我国的半导体材料产业做出重大贡献。他严于律己，克已奉公，治学严谨、为人谦和、作风民主，热情诚恳对待同事学生，“桃李满天下”。他的高尚品德赢得了广大师生的爱戴和敬重。
阙端麟先生的逝世不仅是浙江大学的重大损失，也是我国科学界、教育界的重大损失。他崇高的科学精神和道德风范永远值得我们学习和敬仰！
