碳化硅（SiC）是共价键化合物，其晶体是由二维密排Si层和C层交互排列，在第三方向上无限堆砌而成。由于堆砌的顺序变化万端，致使SiC的晶体结构也纷繁复杂。但所有晶型都包含SiC4或CSi4正四面体在三维空间密排这样的基本特点，这决定了SiC晶体高温半导体属性。但是，令人遗憾的是，SiC晶体的生长至今还是甚为困难的事，而多晶SiC粉体的半导体属性又很难发挥。然而，近数十年来，纳米SiC，尤其是纳米SiC的棒、棱柱和它们的阵列的气固相反应制备不断取得成功，多种形貌纳米SiC展现独特的半导体、光学、力学和其它物理性能，开始引人瞩目。我院潘颐教授和他的博士生吴仁兵（现为新加坡南洋理工大学访问学者），在多年从事纳米SiC制备、结构和性能研究的基础上，结合调研和查阅380篇文献，与新加坡南洋理工大学合作，撰写题为 “Recent Progress in Synthesis, Properties and Potential Applications of SiC Nanomaterials”的综述文章，在Progress in Materials Science 72 (2015)上发表。该杂志2014年影响因子是25.87,是材料科学研究领域重要学术期刊。论文连接：http://authors.elsevier.com/a/1QerII6ytqCkL
