材料学院潘颐教授在《Progress in Materials Science》杂志发表综述论文

发布者:系统管理员审核:yqk终审:发布时间:2015-03-17浏览次数:7491

 碳化硅(SiC)是共价键化合物,其晶体是由二维密排Si层和C层交互排列,在第三方向上无限堆砌而成。由于堆砌的顺序变化万端,致使SiC的晶体结构也纷繁复杂。但所有晶型都包含SiC4CSi4正四面体在三维空间密排这样的基本特点,这决定了SiC晶体高温半导体属性。但是,令人遗憾的是,SiC晶体的生长至今还是甚为困难的事,而多晶SiC粉体的半导体属性又很难发挥。然而,近数十年来,纳米SiC,尤其是纳米SiC的棒、棱柱和它们的阵列的气固相反应制备不断取得成功,多种形貌纳米SiC展现独特的半导体、光学、力学和其它物理性能,开始引人瞩目。我院潘颐教授和他的博士生吴仁兵(现为新加坡南洋理工大学访问学者),在多年从事纳米SiC制备、结构和性能研究的基础上,结合调研和查阅380篇文献,与新加坡南洋理工大学合作,撰写题为Recent Progress in Synthesis,  Properties and Potential Applications of SiC Nanomaterials”的综述文章,在Progress in Materials Science 72 (2015)上发表。该杂志2014年影响因子是25.87,是材料科学研究领域重要学术期刊。论文连接:http://authors.elsevier.com/a/1QerII6ytqCkL