学术报告201628-北京大学秦国刚院士学术报告

发布者:史杨审核:nml终审:发布时间:2016-10-17浏览次数:1763

报告一:提高太阳电池转换效率和外激励下杂质原子室温扩散研究
报告时间:1017日下午16:00
 
报告二:硅基和石墨烯基有机电致发光研究
报告时间:1021日下午16:00
 
报告地点:硅材料国家重点实验室1号楼会议室
邀请人:皮孝东教授
 
报告人简介:
秦国刚院士,半导体材料物理专家,现任北京大学物理学院教授、博士生导师,19567月毕业于北京大学物理系,19612月研究生毕业于该系(固体物理方向),2001年当选为中国科学院(技术科学部)院士。
秦国刚院士长期从事半导体材料物理研究。在半导体杂质与缺陷领域研究中,最早揭示硅中存在含氢的深中心;发现退火消失温度原本不同的各辐照缺陷在含氢硅中变得基本相同;发现氢能显著影响肖特基势垒高度;测定的硅中铜的深能级参数被国际权威性半导体数据专著采用。在多孔硅和纳米硅镶嵌氧化硅光致发光和电致发光方面的研究中,对光致发光提出量子限制-发光中心模型,得到国际广泛支持;发现p型硅衬底上氧化硅发光中心电致发光现象,所提出的电致发光机制模型被广泛引用。在此基础上,设计并研制出一系列硅基电致发光新结构,如:半透明金膜/纳米(SiO2/Si/SiO2)双垒单阱/p-Si等,发光波长从近红外延伸到近紫外。所提出的电致发光机制模型被广泛引用。
秦国刚院士曾获得国家教委(教育部)科技进步一等奖和二等奖各一次和中科院自然科学奖二等奖一次。获物理学会2000-2001年度叶企孙奖。在国内外重要期刊上发表论文250余篇,其中SCI论文200余篇。获得2005年北京市科技进步一等奖,2007年获得国家自然科学二等奖。
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