报告一：提高太阳电池转换效率和外激励下杂质原子室温扩散研究
报告时间：10月17日下午16:00
报告二：硅基和石墨烯基有机电致发光研究
报告时间：10月21日下午16:00
报告地点：硅材料国家重点实验室1号楼会议室
邀请人：皮孝东教授
报告人简介：
秦国刚院士，半导体材料物理专家，现任北京大学物理学院教授、博士生导师，1956年7月毕业于北京大学物理系，1961年2月研究生毕业于该系（固体物理方向），2001年当选为中国科学院(技术科学部)院士。
秦国刚院士长期从事半导体材料物理研究。在半导体杂质与缺陷领域研究中，最早揭示硅中存在含氢的深中心；发现退火消失温度原本不同的各辐照缺陷在含氢硅中变得基本相同；发现氢能显著影响肖特基势垒高度；测定的硅中铜的深能级参数被国际权威性半导体数据专著采用。在多孔硅和纳米硅镶嵌氧化硅光致发光和电致发光方面的研究中，对光致发光提出量子限制－发光中心模型，得到国际广泛支持；发现p型硅衬底上氧化硅发光中心电致发光现象，所提出的电致发光机制模型被广泛引用。在此基础上，设计并研制出一系列硅基电致发光新结构，如：半透明金膜/纳米(SiO2/Si/SiO2)双垒单阱/p-Si等，发光波长从近红外延伸到近紫外。所提出的电致发光机制模型被广泛引用。
秦国刚院士曾获得国家教委（教育部）科技进步一等奖和二等奖各一次和中科院自然科学奖二等奖一次。获物理学会2000-2001年度叶企孙奖。在国内外重要期刊上发表论文250余篇，其中SCI论文200余篇。获得2005年北京市科技进步一等奖，2007年获得国家自然科学二等奖。
欢迎各位老师和同学参加！
