报告主题：Phase-Change Memory Material--Towards Ultrafast Cache Memory Application
报告时间：10月11日下午1:00
报告地点：曹光彪大楼617
联系人：刘涌
报告内容：
随着目前商用计算体系架构内中央处理器（CPU）、静态随机存取存储器（SRAM）动态随机存取存储器（DRAM）、闪存（NAND Flash）等部件之间性能差距的加大，业界近二十年来一直致力于新型非易失性（Non-volatile）存储器技术的研发，以期对现有体系架构进行变革，实现整体性能的跨越式发展。立足于此热点研发领域，本报告聚焦非易失性相变随机存储器（Phase Change Random Access Memory，简称PCRAM）技术，针对替代DRAM和SRAM应用，介绍如何结合第一性原理计算与实验验证以设计关键的相变存储功能材料，实现高速缓存Cache型、低功耗与长寿命的相变存储性能，所设计并优化的多款具有自主知识产权的新型相变材料，已成功用于40/28 nm技术PCRAM芯片量产研制。
报告人简介：
饶峰，深圳大学材料学院，特聘教授；中科院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，副研究员，国家优青。在Nature Communications、Nano Research、Nanoscale等知名期刊发表以第一作者及通讯作者发表论文40余篇；获中国授权发明专利43项（美国专利2项），其中第一发明人授权专利7项（美国专利1项）；Scientific Reports杂志特邀编辑。曾获得中科院院长优秀奖、中科院优秀博士学位论文奖、全国百篇优秀博士论文提名奖、上海市青年科技启明星、中科院青年创新促进会首批会员、中科院卢嘉锡青年人才奖等荣誉。曾主持中国科学院战略性先导科技专项（A类）子课题、国家自然科学基金青年科学基金项目、上海市青年科技启明星计划项目和深圳市基础研究项目各一项；作为研究骨干，参加国家重大科学研究计划项目（A类）、国家科技重大专项项目等四项。
