报告题目：半导体多层膜光电器件应用
地点：浙江大学玉泉校区硅所1号楼会议室
时间：2018年12月24日（周一）下午15:00
邀请人：杨德仁院士
车仁超，复旦大学教授，博导。国家杰出青年基金获得者。教育部新世纪优秀人才、上海市曙光学者和浦江学者计划。中国电子显微镜学会常务理事、中国电子显微镜学会教育专业委员会主任、中国晶体学会理事、上海市显微学学会副理事长兼材料分委会主任。主持2 项科技部重点研发计划项目、8项国家自然基金面上项目、1 项装备预研和1 项上海市科委材料基因组工程项目等。近年已发表SCI 论文210 多篇，含通讯作者论文100多篇，包括1 篇Nat. Commun.、4篇Adv. Mater.、1 篇PNAS、2 篇ACS Nano、2 篇Nano Lett.、1 篇PRL等。他引近万余次。依托原位电子显微学、聚焦磁性材料、吸波材料、半导体材料、能源材料中的物理化学问题，通过自主设计，建成了洛伦兹低温多场耦合电镜，实现了独特的显微组织结构深度分析功能。
报告摘要
半导体多层膜光电器件的广泛应用更新了学者对材料构效关系的认知，其应用的进一步拓展也亟待更加深入的研究。鉴于此，我们对透射电镜进行了自主改造，在其原有的形貌表征、结构解析、成分标定等功能的基础上附加了多种功能——增加了离轴电子全息模式，有效分析电学、磁学性质；通过施加交流磁场有效消除了物镜附近的残余磁场，从而提高了洛伦兹成像的能力；通过设计样品杆及其头部的样品台，实现了原位施加力、热、电、磁的多场耦合功能以及原位液体环境研究功能。借助上述透射电镜分析平台，我们得以对不同结构的III-V族半导体多层膜进行了全方位分析，揭示了了诸多微观结构与宏观能效的联系，诸如，InAs/GaSb二类超晶格探测器中量子效率与吸收区载流子波函数交叠的正相关关系；超晶格界面InSb过渡层对材料应变的引导及其对量子效率的提升；“M“型势垒超晶格对电子与空穴不同的限制作用及其对暗电流的控制；多量子阱激光器“成分—应变”诱导价带带阶提升增强限域促进辐射符合；”W“型多层膜结构的精确设计在新型隧穿器件中的应用等。此外，电镜功能的极大拓展也使得材料的研究更加广泛——我们得到了铁锗合金中外部磁场变化、温度波动对磁畴演化的影响规律，材料自身限域作用对磁结构的控制等。
Reference
1. R. C. Che*, H. F. Du*, et al. Nat. Commun. 2015, 6, 8504.
2. R. C. Che*,M. L. Tian*, et al.PRL 2018, 120, 197203.
3. R. C. Che*, M. L. Tian*, et al. Proc. Natl. Acad. Sci.2016, 113, 4918.
4. R. C. Che*,M. L. Tian*, et al.Nano Lett. 2017, 17, 2921.
5. R. C. Che, L. M. Peng*, et al. Adv. Mater. 2004, 16, 401.
6. R. C. Che*, Adv. Mater. 2016, 28, 486.
7. R. C. Che*. Adv. Mater. 2014, 26, 8120.
