2019年4月15日下午，应杨德仁院士邀请，南京大学电子科学与工程学院顾书林教授，北京大学物理学院王新强教授来我院交流访问，分别给我院师生带来题为“宽禁带氧化物半导体材料、物性与器件应用”和“氮化物半导体外延调控及其光电器件”的精彩报告，报告由杨德仁院士主持。
氧化锌具有极其优越的光电性能，极大的反向饱和击穿场强和很高的巴利加品质因子，但是氧化锌p型掺杂的严重技术困难阻碍了氧化锌材料的进一步发展及其光电器件的应用。顾书林教授从氧化物半导体的本征与共性特征出发对制约氧化锌半导体材料与器件的p型掺杂这一重大科学问题与技术难题进行深入的分析与探究，提出未来氧化物半导体材料与器件发展的可能技术途径与研究策略。顾教授还重点介绍近年来南京大学课题组在宽禁带氧化物半导体领域所进行的尝试与努力，特别是在氧化锌中的杂质缺陷行为与掺杂补偿调控、氧化锌基复合结构与器件应用、氧化镓基薄膜材料生长调控与肖特基二极管以及光电器件研制等方面的研究进展。
随后，北京大学王新强教授具体介绍他们在氮化物半导体领域的最新进展。近二十年来，III族氮化物半导体材料以其宽带宽覆盖范围、强极化、抗辐照等多项优异的材料性能在半导体照明、微波通讯和电力电子等领域取得重要的研究进展，并实现了巨大的市场价值。然而材料生长的精确外延控制是实现高质量材料制备的关键，尤其是原子层级上的外延控制更是实现高质量量子结构的前提。王教授从原子层外延调控出发，介绍了InGaN单原子层面内原子的规则排列及其单光子源，基于GaN超薄量子结构的电子束泵浦紫外光源和蓝宝石衬底上GaN基共振隧穿二极管（RTD）三个方面的研究工作。
附报告人简介：
顾书林，南京大学电子科学与工程学院教授、理学博士、博士生导师。国家杰出青年基金获得者，南京大学特聘教授。长期从事半导体异质结构材料与器件应用方面的研究工作，近几年主要从事宽禁带半导体材料与器件方面的研究工作,在宽禁带氧化物半导体材料生长设备研制、外延生长技术与原位掺杂、材料物理与新型器件探索等方面取得了系列创新研究成果。主持国家自然科学基金重大项目课题、国家“863”计划、国家“973”计划课题以及其他科研项目十多项。发表SCI学术论文270多篇,被SCI他引2800多次。参编两本半导体材料专著，获授权发明专利10多项。先后获国家技术发明三等奖、江苏省科技进步一等奖和国家自然科学二等奖以及教育部自然科学一等奖、江苏省青年科学家奖等多项奖励。
王新强，北京大学物理学院教授，教育部长江特聘教授，国家杰出青年基金获得者，万人计划中青年领军人才，现任北京大学东莞光电研究院院长，人工微结构和介观物理国家重点实验室副主任，北京大学人事部副部长，物理学院院长助理。分别于1996和2002年在吉林大学电子科学与技术学院获得学士和博士学位，2002-2008年在日本千叶大学和日本科学技术振兴机构进行研究工作，2008年由百人计划加入到北京大学物理学院工作。主要从事宽禁带半导体材料、物理与器件研究，发表SCI论文160余篇，SCI引用逾2500次，在国内外学术会议上做邀请报告30余次，担任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”编辑，NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列编委。
